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NTD4805N, NVD4805N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
5000
4000
V DS = 0 V V GS = 0 V
C iss
T J = 25 ? C
7
6
3000
C iss
5
4
Q 1
Q T
Q 2
2000
C rss
3
2
1000
0
10
5
V GS
C rss
0
V DS
5
10
15
20
C oss
25
1
0
0
5
I D = 30 A
V GS = 4.5 V
T J = 25 ? C
10 15 20
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
25
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate ? To ? Source and Drain ? To ? Source
Voltage vs. Total Charge
1000
V DD = 15 V
I D = 30 A
V GS = 11.5 V
30
25
V GS = 0 V
T J = 25 ? C
100
t d(off)
t r
20
15
10
t d(on)
10
t f
5
1
1
10
100
0
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1000
450
400
I D = 29 A
100
10 m s
100 m s
350
300
10
1
0.1
0.1
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ? C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
1
10
1 ms
10 ms
dc
100
250
200
150
100
50
0
25
50 75
100 125
150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ? C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
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